일본 아사히카세이(Asahi Kasei)가 차세대 PLP(Panel Level Packaging) 공정의 수율 한계를 돌파할 감광성 폴리이미드 필름을 전격 공개했다. 이는 단순한 신소재 개발이 아니라, 웨이퍼 기반에서 사각형 패널 기반으로 넘어가는 첨단 반도체 패키징 패러다임 전환의 핵심 병목을 해소하는 지정학적 무기다. 기존 액상 코팅 방식이 가진 물리적 한계를 필름 형태로 극복함으로써, 글로벌 파운드리 및 OSAT(Outsourced Semiconductor Assembly and Test) … 더 읽기
무어의 법칙이 물리적 한계에 봉착한 현재, 반도체 성능 향상의 유일한 돌파구는 첨단 패키징 기술뿐이다. 2026년 5월, 인텔이 미국 3DGS와 손잡고 인도 오디샤주에 글라스 코어 기판 제조 시설을 설립하는 양해각서(MoU)를 체결했다. 이는 인텔이 단순한 팹리스 설계나 후공정 R&D를 넘어, 차세대 기판 양산의 무게 중심을 인도로 확장하며 글로벌 반도체 공급망(GVC)의 판을 흔들겠다는 노골적인 지정학적 포석이다. 1. 핵심 … 더 읽기
2nm 이하 초미세 공정의 수율을 결정짓는 물리적 임계점은 노광이 아닌 웨이퍼 클리닝(Wafer Cleaning)에서 발생하고 있다. 세계 1위 반도체 장비 기업 어플라이드 머티어리얼즈(Applied Materials, 이하 AMAT)가 세계 1위 웨이퍼 클리닝 장비 기업 스크린(SCREEN SPE)을 자사의 R&D 허브인 EPIC(Equipment and Process Innovation and Commercialization) 센터로 끌어들인 것은 단순한 기술 협력이 아니다. 이는 GAA(Gate-All-Around) 및 3D 구조로 진화하는 … 더 읽기
1. 핵심 기술 및 공급망 이슈 분석 AI 데이터센터의 전력 소모량이 기하급수적으로 증가함에 따라, 기존 실리콘(Si) 기반 전력 변환 시스템은 물리적 한계에 직면했다. ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics)가 새롭게 출시한 GaN 전력 반도체는 단순한 라인업 확장이 아닌, AI 서버와 로보틱스 산업이 당면한 ‘전력 밀도(Power Density)’ 및 ‘열 관리’라는 엔지니어링적 난제를 해결하기 위한 전략적 포석이다. 역사적으로 전력 반도체는 실리콘 기반의 … 더 읽기
개요 GaN(질화갈륨)은 실리콘(Si)을 대체하는 차세대 와이드 밴드갭(WBG) 반도체 소재입니다. 높은 전력 효율, 빠른 스위칭 속도, 고온 안정성 등의 특성을 바탕으로 전력 반도체 및 RF(무선 주파수) 반도체 분야에서 핵심적인 역할을 수행하며, 시스템의 소형화, 경량화 및 고효율화를 가능하게 합니다. 핵심 특성 관련 기업 및 동향 GaN 전력 반도체 분야의 주요 플레이어로는 Infineon(인피니언), STMicroelectronics(ST마이크로일렉트로닉스), Navitas Semiconductor(나비타스), EPC(Efficient Power … 더 읽기
현대 반도체 산업이 직면한 가장 거대한 물리적 장벽은 전공정(Front-end)에서의 트랜지스터 미세화가 아니라, 후공정(Back-end)에서의 I/O 밀도 및 열역학적 한계다. AI 가속기의 등장으로 레티클 한계(Reticle Limit)의 4배에서 6배에 달하는 거대한 다이(Die)를 단일 패키지에 집적해야 하는 현 상황은 기존 AI 반도체 패키징 기술의 전면적인 재설계를 요구하고 있다. 1. 유기 기판의 한계와 노광 공정의 물리적 병목 기존 유기 기판의 … 더 읽기
