반도체 미세공정: 나고야대-TEL, 식각 속도 5배 높인 극저온 공정 규명

반도체 미세공정의 한계를 극복하기 위한 나고야대-TEL의 극저온 식각 기술로, HF 플라즈마와 표면에 흡착된 H2O 촉매를 이용한 SiO2 이온 강화 자기 촉매 반응 메커니즘을 상세히 설명하는 다이어그램

2026.01.14.(수)/ EE Times Japan 나고야대학 저온 플라즈마 과학 연구 센터 연구진과 글로벌 반도체 장비사 도쿄일렉트론 미야기(TEL)가 협력하여 반도체 미세공정의 난제를 해결할 새로운 극저온 반응성 이온 식각(RIE) 메커니즘을 세계 최초로 규명함. 웨이퍼를 냉각하고 불화수소(HF) 플라즈마를 활용하여, 기존 공정 대비 SiO2막의 식각 속도를 무려 5배 이상 비약적으로 향상시킴. 구조가 극도로 미세하고 복잡한 GAA(Gate-All-Around) 트랜지스터 및 고단수 3D … 더 읽기